SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI8816EDB-T2-E1 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.53 |
10+ | $0.429 |
100+ | $0.2923 |
500+ | $0.2192 |
1000+ | $0.1644 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-Microfoot |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI8816 |
SI8816EDB-T2-E1 Einzelheiten PDF [English] | SI8816EDB-T2-E1 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
VISHAY 4XFBGA
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI8816EDB-T2-E1Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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